امکان ساخت ترانزیستورهای زیر یک نانومتر فراهم می‌شود

با ارائه یک روش ساخت جدید، مسیر تولید ترانزیستورهایی با ابعاد کمتر از یک نانومتر امکان‌پذیر می‌شود. در این راستا یک تیم تحقیقاتی روش جدیدی را برای دستیابی به رشد اپیتاکسیال مواد فلزی ۱D با عرض کمتر از ۱ نانومتر ارائه کرده است.

۱۹ تیر ۰۳ - ۱۰:۲۹