به گزارش ایسنا، از سال ۲۰۲۲ که آمریکا در تلاش برای کند کردن پیشرفت فناوری چین، کنترل‌هایی را بر صادرات برخی تجهیزات ساخت تراشه اعمال کرد، تعیین میزان سرمایه‌گذاری در فعالیت‌های مستقر در چین به چالشی پیچیده برای این غول‌های نیمه‌رسانای کره‌جنوبی تبدیل شده است.
اکنون هر دو شرکت، در صورتی که بخواهند تجهیزات ساخت آمریکا (مانند دستگاه‌های اچینگ یا حکاکی) را در چین نصب کنند، ملزم هستند که به‌صورت سالانه از ایالات متحده مجوز دریافت کنند. «دفتر صنعت و امنیت» وزارت بازرگانی آمریکا در سال ۲۰۲۵ اعلام کرده بود که قصد ندارد مجوزهایی را برای ارتقای فناوری و گسترش ظرفیت کارخانه‌های متعلق به تولیدکنندگان خارجی تراشه در چین صادر کند.
این مشکلات ناشی از مقررات، توانایی این شرکت‌ها را برای نوسازی کارخانه‌هایشان محدود کرده و به از دست رفتن سهم بازار آنها به نفع شرکت چینی «یانگ‌تسه مموری تکنولوژیز» (YMTC) منجر شده است. مدیران این شرکت‌های کره‌ای به‌طور علنی هشدار داده‌اند که تنش‌های ژئوپلیتیک، فعالیت‌های آنها را در چین تضعیف می‌کند.
سامسونگ و «اس‌کی هاینیکس» (SK Hynix) در بیانیه‌هایی به خبرگزاری رویترز تایید کردند که فرآیند ارتقا در جریان است و با مشورت نزدیک با واشنگتن انجام می‌شود. با این حال، آنها جزئیات برنامه‌های تولیدی خود را فاش نکردند.
به گفته منابع آگاه، این دو شرکت در حال تلاش برای تولید تراشه‌های حافظه فلش ناند (NAND) با بیش از ۲۰۰ لایه در کارخانه‌های چینی خود هستند. چنین اقدامی سطح تولید آنها در چین را با آنچه در کره‌جنوبی تولید می‌شود، هم‌تراز خواهد کرد.
حافظه ناند نوعی تراشه حافظه است که داده‌ها را حتی بدون جریان برق حفظ می‌کند و به‌طور گسترده در تلفن‌های هوشمند، رایانه‌های شخصی و درایوهای حالت جامد (SSD) مورد استفاده در مراکز داده هوش مصنوعی به کار می‌رود. افزایش تعداد لایه‌ها در هر تراشه به معنای تراکم ذخیره‌سازی بیشتر و کاهش هزینه‌هاست. سامسونگ به دنبال تولید تراشه‌های ۲۸۶ لایه‌ای است
به گفته دو منبع مطلع، کارخانه سامسونگ در «شی‌آن» واقع در شمال غربی چین — که حدود ۴۰ درصد از تولید جهانی حافظه‌های ناند این شرکت را تامین می‌کند — در حال حاضر تراشه‌هایی با حدود ۲۰۰ لایه تولید می‌کند.
یکی از این افراد گفت: سامسونگ در قالب پروژه‌ای که در داخل شرکت با نام «مونامی» (Monami) — برگرفته از واژه‌ای فرانسوی به معنای «دوست من» — شناخته می‌شود، در حال تغییر کاربری این تاسیسات برای تولید تراشه‌های ناند مدل V۹ با ۲۸۶ لایه است. هدف‌گذاری سامسونگ دستیابی به تولید ماهانه ۵۰۰۰ «ویفر» (قرص سیلیکونی) تا دسامبر سال جاری و افزایش آن به ۴۰ هزار ویفر تا دسامبر ۲۰۲۷ است.
سامسونگ اعلام کرد که این ارتقا مطابق با مقررات صادراتی آمریکا انجام می‌شود و افزود: «هدف از این به‌روزرسانی، پاسخگویی به تقاضای رو به رشد مشتریان جهانی، از جمله مشتریان در آمریکا است. این شرکت در حال گسترش ظرفیت تولید یا احداث تأسیسات تولیدی جدید نیست.»
سه فرد مطلع در این زمینه اظهار کردند که شرکت «اس‌کی هاینیکس» نیز قصد دارد در تاسیسات خود در شهر «دالیان» واقع در شمال شرقی چین، به تولید محصولات NAND با ۲۴۰ لایه یا بیشتر روی آورد.
به گفته یکی از این افراد، این شرکت در حال حاضر محصولاتی با ۱۹۲ لایه در آنجا تولید می‌کند.
«اس‌کی هاینیکس» مجموعه دالیان را در سال ۲۰۲۱، هم‌زمان با خرید بخش تولید حافظه‌های ناند شرکت اینتل، به دست آورد.
بر اساس گزارش رویترز، یکی از این منابع مطلع گفت که این شرکت مجوز تولید تراشه‌هایی با حداکثر ۲۴۰ لایه را در دالیان دارد و ممکن است برای انجام تحقیق و توسعه روی تراشه‌هایی با بیش از ۳۰۰ لایه در آن مرکز، از واشنگتن درخواست مجوز کند؛ اقدامی که می‌تواند زمینه‌ساز تولید احتمالی این محصولات در ایالات متحده باشد.
این شرکت در حال مذاکره با دولت ترامپ درباره طرح‌هایی برای احداث یک کارخانه جدید تولید حافظه‌های ناند در آمریکا است.
انتهای پیام
